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分析模型的阈值电压、亚阈值斜率SOI MOSFET和儿子:比较研究

作者(年代):”栏目Sarkar Sanjoy Deb, N。不过辛格Debraj Das

基于three-interface紧凑capacitivemodel Athreshold voltagemodel发达水平SOI / SONMOSFET。不同的短沟道效应如排水引起屏障降低,二维电荷共享和边缘场效应被认为是。分析模拟了理解的阈值电压性能绝缘体上硅(SOI)和硅MOSFET(儿子),在不同的结构和操作参数的变化。两个设备的性能进行了研究和比较的阈值电压转出和阈下的斜率。SONMOSFET性能发现fromequivalent SOI器件明显不同。SONMOSFET演示了低阈值电压滚边和阈下边坡由于减少了短沟道效应。现在的分析发现有用的找出儿子在SOI结构的改进作为下一代短沟道MOS结构。