摘要

热电性能高的Cu3SbSe4的电学、结构和光学特性

作者(年代):Dabaa B, Srouji F, Brgol M

Cu3SbSe4具有较高的热电功率，是一种很有前途的热电材料。虽然它有一个简单的晶体结构衍生自锌矿结构。通过快速热压(RHP)技术在270˚C下制备的这种半导体化合物的大块热电性能，而Cu3SbSe4薄膜在(150˚C)下通过化学浴沉积(C.B.D)沉积到玻璃基板上(微观薄片)。用x射线衍射谱进行了结构表征，以确定在(20-30 nm)范围内的平均晶粒尺寸。得到的Cu3SbSe4具有p型半导体，电阻率在0.124 Ωm范围内较低。对制备的薄膜表面进行AFM显微观察，观察距离为(16-65)nm。Cu3SbSe4的载流子密度和霍尔迁移率分别为0.591×1018 Cm-3和117.3 Cm2/Vs。紫外-可见分光光度计测定Cu3SbSe4薄膜的能带在(1.25 ~ 1.5)eV范围内，FT-IR分光光度计测定Cu3SbSe4体的能带在(0.362eV) eV范围内，对应波长为(3417 nm)。由于整体浓度的优化，Cu3SbSe4样品的功率因数(PF)显著提高。晶格热导率kL非常低，这可以归因于