摘要

辐射碳化PVDF薄膜的电子发射光谱

作者(年代):s.s.c chebotaryov, L.A.Pesin, A.M.库夫希诺夫，I.I.Bespal, I.V.Gribov, N.A.Moskvina, v.l.b uznetsov, s.e.e evsyukov

对聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜样品进行了长时间termAlKá辐射、电子和离子轰击，以达到表面碳化的目的。研究了二次电子对PVDF薄膜及其碳化衍生物电子发射光谱的影响。对PVDF及其脱氢氟化衍生物的CKVV和C1s光谱形状参数化的原始程序进行了开发和详细描述。通过对C1s和C KVV线形的分析，发现两种辐射处理mpvdf碳化层的电子结构存在明显差异。在Ar+轰击的情况下，sp2-键占优势。Al Ká辐照导致一些其他形式的碳，但额外的离子轰击将它们转变为主要sp2键的物种。这项研究最令人困惑的结果是，光子和离子在可用于XPS分析的碳化表面层中产生了相同的氟深度梯度。