文摘

Heliuminduced结构性障碍氢化纳米晶体硅(实际:H)薄膜由HW-CVD方法

作者(年代):Nabeel A.Bakr

结构、光学和电学性质的氢化纳米晶体硅(实际:H)的电影,从硅烷沉积(SiH4)无氢和氦(他)气体混合物的热丝化学气相沉积(HWCVD)方法研究了氦的稀释硅烷的函数(流值)。我们观察到沉积速率要高得多(4-33 A / s)与传统等离子体增强化学蒸气沉积(PE-CVD)实际:Hfilms。拉曼光谱显示,水晶体积分数随他稀释硅烷增加而微晶的大小仍然几乎不变(~ 2海里)他稀释硅烷的整个范围的研究。此外,增加实际的结构性障碍:H电影已经观察到随着他稀释硅烷。~ 9日在氢含量。%在filmdeposited流值60%,进一步降低流值迅速增加。光响应减少的订单1与硅烷from60 heliumdilution增加到97%。已经得出的结论是,将氦气添加到硅烷引发的结构性障碍氢化纳米晶体硅(nc - Si: H)薄膜byHW-CVDmethod做好准备。