摘要

光电化学和电化学刻蚀法制备纳米/微结构硅层的形貌及光电性能研究

作者(年代):Nadir F.Habubi, raida . ismail, Hasan A.Hadi

在这项工作中，电化学蚀刻(ECE)和光电电化学蚀刻(PECE)被用于生产p型和n型(111)取向的多孔硅。均方根(RMS)表面粗糙度是常用成像技术描述表面的参数，采用原子力显微镜(AFM)对表面样品进行了分析。用光学显微镜研究了衬底类型对表面多孔形貌的影响。确定了多孔硅形貌对制备条件的依赖性，以及多孔硅层(PS)的形貌、光电流和能隙之间的联系。