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光学参数的非晶硒沉积热蒸发技术

作者(年代):最低点F。Habubi, Nabeel A。•克尔,沙巴A.Salman

薄膜非晶seleniumhave是由热蒸发技术。Swanepoel提出的分析已经成功地用来确定的平均厚度和折射率filmswith高精度的光谱范围540 - 1050 nm。的吸收系数,因此消光系数k,就下定决心透射光谱的吸收力强。使用Tauc公式描述的光学吸收边和已发现的过渡是直接能隙等于2.02 eV。讨论了折射率的色散的single-oscillatorWempleA–DiDomenico模型。分散能源Ed和single-oscillator能源Eowere分别发现3.888 eV和25.514 eV。