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氧化膜的形成和增长Na2B4O7铟电极上的解决方案

作者(年代):一个。新,硕士El-Attar, S。Abd El减弱

氧化物的形成和增长套indiumelectrode沉浸在硼酸钠的解决方案之后,讨论了使用potentialmeasurements开路条件下。的作用浓度、pH值和温度的解决方案也在调查中。发现,氧化filmgrowth遵循直接logarithmlaw,明显从开路电位之间的线性关系和浸泡时间的对数。氧化膜的增长速率降低通过增加溶液的pH值和温度提高的解决方案。免费激活能源的氧化filmgrowth决定,发现8.88焦每摩尔,表明氧化膜的过程正在增长扩散控制。