摘要

pd掺杂AlN:一种来自第一性原理的稀磁性半导体

作者(年代):李道勇，曹蔚然，陈莉

利用密度泛函理论(DFT)研究了pd掺杂AlN的电子能带结构和铁磁性能。Pd掺杂剂及其最近的四个N原子具有自旋极化态，其净磁矩为1.62ìB。结果还表明，PddopedAlN具有半金属行为，Pd-dopedAlN倾向于铁磁基态，这可以用p-d杂化机制来解释。这些结果表明，pd掺杂AlN是一种很有前途的稀磁性半导体，可广泛应用于自旋电子学领域。