摘要

磷钼酸铵半导体光催化降解铬黑T

作者(年代):Sunayana Sharma, Nitin Chaturvedi, R. K. Chaturvedi和M. K. Sharma

研究了磷钼酸铵半导体在可见光照射下对铬黑T的光催化降解。以磷钼酸铵半导体为光催化剂，在不同pH、半导体用量、染料浓度和光强条件下降解铬黑T。降解速率受这些参数的影响。染料的降解遵循伪一级动力学。辐照5小时后，降解率达到93.9%。讨论了光催化的机理。