摘要
预测分子晶体的生长形态是化学和制药工业中控制工艺参数的重要步骤。本文提出了一种从晶体内部结构出发预测分子晶体生长形态的计算方法。习惯控制力是用第一原理方法获得的。我们的方法考虑了分子取向和生长形状的其他内部参数。还考虑了生长形态上习惯面的表面松弛、可能的重建和不同的表面末端。表面粗糙度atT= 0 Kis以分子横向附着能量的差异infacetÂ’sunitcell来量化。根据所建立的模型计算了呋喃和琥珀酸的生长形态。用hartree - fockmethod得到的弛豫晶体的形态与蒸汽相的生长晶体非常吻合。