文摘

同时研究电化学Oxidation-Assisted抛光Reaction-Sintered碳化硅的二氧化铈泥浆

作者(年代):沈XM1 *,彭K1,张X1,阴Q1和Yamamura K2 *

介绍了电化学氧化加工reaction-sintered碳化硅(RS-SiC)陶瓷结合研磨抛光。通过治疗二氧化铈电解质和磨料浆,同时电化学oxidation-assisted抛光(S-EOAP)可以实现,可获得高的材料去除率(MRR)和光滑的表面质量的同时。S-EOAP实验进行了8组不同条件。抛光RS-SiC样本被扫描白光干涉仪(SWLI)表面质量进行评估,并进一步研究了扫描电子显微镜(SEM)分析抛光表面的形态。实验结果表明,表面抛光的样品的品质取决于氧化的合作潜力,泥浆浓度,和负载。研究S-EOAP RS-SiC样品可以改进流程级别,促进RS-SiC产品的应用。