文摘

合成和表征纳米晶多孔硅太阳能电池应用程序层

作者(年代):最低点F。Habubi1 *,突袭。Ismail2艾哈迈德N.Abd

多孔硅(PS)层制作在p型晶体硅(c - Si)晶片(100)取向使用电化学腐蚀(ECE)过程在不同腐蚀时间(7,15分钟),电流密度7马/平方厘米,和固定电解质solutionHF: C2H5OH (1:1)。Nanoporeswith平均直径(19.47、22.70 nm)中形成p-PS(100)层。最低有效反射得到的p-PS / CdSe层表现出优异的光捕获atwavelengths from400到1000海里。太阳能cellswere捏造基于PS anti-reflection涂料层和硫化锌外壳。currentvoltage特点的太阳能电池在127 w / cm2照明检查,一种高效的ps(3.5%, 6%)(7, 15分钟),本研究的目的是制造高效太阳能电池(6%、12.25%)分别usingAl /同单晶硅/ p-PS / CdSe /。