审查
数量:15 (2)纳米晶体的制备氧化铝薄膜:审查
- *通信:
- 何鸿燊SM,信息技术学院,数学和科学,英迪国际大学,Putra汝,Negeri Sembilan,马来西亚,电话:+ 6067982000;电子邮件: (电子邮件保护)
收到:2017年2月3日;接受:2017年4月10日;发表:2017年4月12日,
引用:SM。纳米晶体的制备氧化铝薄膜:审查。Int J化学科学。2017;15 (2):115。
文摘
如今,二元化合物,如氧化铝薄膜是众所周知的应用程序在一个广泛的微电子设备和光电。这项工作表明,可以准备使用各种沉积氧化铝薄膜的方法包括化学沉积法和物理沉积技术。表征薄膜是一个宽泛的科学。这里描述的电影是用x射线衍射、扫描电子显微镜、x射线光电子能谱、傅里叶变换红外吸收和紫外可见分光光度计。
关键字
薄膜;氧化铝;半导体;太阳能电池
介绍
最近,已经有越来越多准备各种类型的金属硫族化物薄膜(1- - - - - -30.和金属氧化物薄膜31日- - - - - -45通过使用不同的沉积方法)。氧化铝薄膜被广泛研究由于其应用前景在光电设备,微电子设备、防水涂料、防护涂料、介电和传感层。这些材料有许多属性包括化学惰性,玻璃衬底附着力好,透明度在波长范围宽,机械强度,高导热系数、高介电常数。
有几种不同的沉积技术物理沉积法或化学沉积技术已经申请了氧化铝薄膜的制备反应磁控溅射等方法,热蒸发法、脉冲激光沉积、等离子体增强化学气相沉积法、溶胶凝胶技术,原子层外延和化学气相沉积。在这里,为了准备进行了批判性分析氧化铝薄膜。然后获得电影特征使用x射线光电子能谱、扫描电子显微镜、x射线衍射和傅里叶变换红外。
文献调查
赵et al。46]报道的合成氧化铝薄膜通过飞机过滤阴极真空电弧系统。他们发现,氧化铝膜能沉积高沉积速率(1.5海里/ s 0.5 nm / s)对石英和Si(100)在室温下基板在不同氧气压力(0.01 Pa 0.0373 Pa)。结果表明,成熟的电影都是无形的低压力(低于0.5 GPa)和良好的一致性可以看到。他们的结论是,这部电影属性显示光涂料行业的应用前景。另一方面,退火工艺对氧化铝薄膜的性质讨论了赵和泰47]。值得注意的是,电影的表面保持光滑到600°C。实验结果表明,结晶诱导的电影当加热在900°C。同时,他们声称折射率增加而提高退火温度从200°C到900°C。
溶胶凝胶技术已被用于制备氧化铝薄膜由Nursen et al。48]。描述的实验中,乙酰丙酮铝sec-butoxide和酒精溶液(乙醇、异丙醇、正丁醇)用作螯合剂,原材料,和溶剂。获得的数据表明,最稳定的使用正丁醇合成如果相对于其他溶剂。另一方面,高度透明、均匀和非晶态氧化铝薄膜退火后观察到在硅衬底的电影在500°C。x射线光电子光谱学(XPS)和傅里叶变换红外吸收(红外光谱)光谱学测试验证氢氧化沉积电影是免费的。
原子层外延沉积和化学气相沉积制备铝氧化膜作为提出Hiltunen et al。49]。原子层沉积技术有很多好处低缺陷密度可以实现,可以产生销孔免费电影和所需的指定的厚度。同时,化学气相沉积方法有许多优点,如可以存款电影很难蒸发,高增长率和可以外延生长薄膜。在他们的研究中,三氯化铝、水、氧气和脂肪醇分别用作铝和氧源。最后,电常数和环境稳定性分析表明,获得的电影适合应用,如绝缘和保护层。在其他情况下,Pradeep et al。50)合成氧化铝薄膜厚度为400、300和200纳米硅和钠钙玻璃基板使用原子层沉积。光学行为研究在400到1800纳米波长范围。获得输出反映了电影,生长在玻璃衬底有较高的折射率和薄膜沉积在硅。
等离子体增强化学蒸气沉积方法已被用于制备氧化铝薄膜所显示温家宝和Suhr [51]。选择这种方法是因为它具有许多优点,如低操作温度,降低开裂的几率沉积覆盖层和良好的一步。在他们的实验中,氧化铝膜沉积在各种基板包括玻璃、石英、钢铁、硅、铝和镍使用乙酰丙酮酸盐作为前体。有趣的是,存款是很难(2370港元),表明基质良好的依从性。
氧化铝薄膜是由使用脉冲激光沉积方法描述实习等。52]。这种沉积方法有几个优点,如成本效益,快速、通用的方法。他们指出,电影获得非晶态,稍微缺乏氧气。同时,这些电影表明表面光滑与分散溅粒子直径从0.2到0.5微米。在他们的研究中,电影的热发光性质研究。他们的结论是,热发光曲线表明两座山峰在110°C和176°C。此外,一个线性吸收剂量和剂量的热释光的响应之间的关系由150 Gy - 100 Gy检测。在另一起案件中,2O3电影800纳米的厚度是由离子等。53利用脉冲激光沉积方法。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分析表明,颗粒直径约50 nm。能源色散x射线光谱学(EDX)调查指出,化学计量从目标转移到电影。氧和铝的原子百分比是63.25%和36.75%,分别。
电喷涂方法被应用为手段的沉积2O3电影在一个金属衬底。Jaworek et al。54]描述了电喷射系统包含不锈钢毛细管喷嘴和一个加热表的直径120毫米。SEM显微图反映了粒子的粒子产生致密层没有明显的团聚体。他们进一步解释说,更大的谷物(估计约μm 2μm)是由于凝固的较小的产生影响。
氧化铝薄膜准备用热蒸发方法在铝衬底在露天环境中据汗et al。55]。由扫描电镜研究了表面形态。圆形颗粒的形成(1μm 2.5μm)和不规则的粒子被发现1和2小时。然而,显示的表面形态不规则斑块的形成分布均匀的5个小时。他们的结论是,微观结构的形成主要取决于治疗时间(1到5个小时)。另一方面,各种飞机的XRD数据显示,结晶度随治疗时间增加。此外,XRD显示模式的形成2O3Al (OH)3,艾尔。2O3。H2O阶段。
Solvothermal方法用来制备氧化铝薄膜所显示段et al。56]。这种方法允许精确控制大小,形状分布和结晶度的电影。SEM分析表明,获得的电影是密度和颗粒状的表面形态。电影的厚度估计是150 nm - 300 nm。
化学液相沉积采用第一次准备2O3电影如杰和太阳所述57]。他们观察到的增长率是12海里/小时沉积在15°C使用0.0837米2(SO4)3和NaHCO 0.214米3。他们还发现,不仅增长退火后致密和净化的电影,但导致电影结晶。
铝的制备2O3薄膜使用电沉积方法提出了Farzana et al。58]。电影在5°C,镀层在3 V沉积时间从30到120分钟。从50纳米到250纳米厚度的增加随着沉积时间的增加从30到120分钟。他们声称,这些材料可以作为屏障涂料由于表面粗糙度是在5.9到15.4 nm的范围。最后,他们认为,从4.38 eV带隙减少到4 eV和沉积时间的增加。
x射线衍射(XRD)进行了分析,以了解更多关于这部电影的结构。熔体温度对镀层的性质的影响2O3电影研究和报道伊姆兰等。59]。XRD结果证实了氧化铝的形成在5°C的熔体温度到室温。同时,XRD分析表明,微晶尺寸降低熔体温度增加。
反应磁控溅射方法制备氧化铝薄膜苏打玻璃衬底上所描述的Koushki et al。60]。XRD概要文件表明,立方氧化铝的形成阶段。SEM分析表明,25 nm的平均晶粒尺寸检测。另一方面,介绍了氧气流的影响在光学性质的电影进行了研究。光学光谱强调最高传输值属于最高的介绍了氧气。研究人员声称沉积过程是由目标控制电压。例如,获得的最大沉积速率是215海里/分钟,77%的金属铝率据朱丽叶et al。与此同时,Kari et al。61年)观察到的最大沉积速率是150海里/分钟从金属的价值最低。在其他情况下,退火温度对氧化铝的性质的影响电影被Lim调查等。62年]。他们的结论是,发现微晶的大小增加,而微观应变和位错密度降低提高退火温度。他们解释说,由于减少晶格应变。
结论
氧化铝薄膜已经准备通过使用不同的沉积方法。获得薄膜的性质是影响不同退火温度等实验条件,目标电压、氧气流量和沉积时间。
确认
英迪国际大学是感激地承认金融支持这项工作。
引用
- Fekadu GH,弗朗西斯·卡。沉积温度对结构的影响,形态和光学带隙的硒化铅薄膜合成化学浴沉积方法。板牙化学Phys.2016; 183:320。
- JoshiRk Kumar P Sehgal香港,原发性的解决方案发展变量带隙Pb1-xMnxS半导体纳米颗粒薄膜。JElectrochem Soc.2016; 153: C707。
- Anuar K,谭WT, jela M等沉积时期药效学研究的设计和方法的属性FeS2化学浴沉积薄膜的方法。法政Int J Sci Technol.2010; 15:62。
- 林LH,吴CC,赖CH al.Controlled沉积银硫化铟三元半导体通过化学浴沉积薄膜。化学板牙。2008;20:4475。
- Anuar K,何鸿燊SM,谭WT al.Composition,形态和化学浴沉积奈米薄膜的光学特性。J: Sci欧元。2011;3:75。
- OttihIE Ekpunobi AJ。络合剂对化学Mg1-xNixS薄膜沉积的影响。摩尔达维亚的J phy Sci.2012; 11:209。
- Anuar K,纳尼R, SM。原子力显微镜对硫化锌薄膜的研究。Int J难以Eng Sci抛光工艺。2011;7:169。
- 卢戈年代,洛佩兹,Peria Y, et al .,立方寸的表征2薄膜由化学浴沉积及其实现太阳能电池。薄固体Films.2014; 569:76。
- 别名MFA,纳吉·塔希尔。衬底温度对薄铜的光学特性3SnS4电影由CBD。IPASJ Int J电工实习Eng。2014; 2:1。
- Anuar K,萨拉瓦南N,谭WT等al.Effect化学浴沉积铜沉积期和pH值4SnS4薄膜。菲尔JSci。2009;138:161。
- Balasubramanian V, Kannan Suriyanarayanan N, R。Optimization of chemical bath deposited bismuth sulphide thin films on glass substrate. Arch Appl Sci Res. 2012;4:1864.
- bic M, Sisman我。SnSe薄膜的电沉积和生长机制。:Sci冲浪。2011;257:2944。
- Anuar K,萨拉瓦南N, Zulkefly K, et al.Influence络合剂(Na2EDTA)化学浴沉积铜4SnS4薄膜。牛化学Soc阿比西尼亚人。2010;24:259。
- 皮拉伊PKV Gopakumar N,小河PS。化学浴沉积和表征CdSe薄膜的光电应用程序。J板牙Sci . 2010; 45:6653。
- Hannachi, Hammami年代,RaouafiN。硫化锰的制备(MnS)通过化学浴沉积薄膜:实验设计方法的应用。J合金化合物。2016;663:507。
- 加西亚LV, Loredo SL,沙棘等al.Structure和属性的CdS薄膜由脉冲激光辅助化学浴沉积。板牙Res公牛。2016;83:459。
- Hatam如Ghobadi N。沉积温度对结构的影响,光学特性和配置CdSe纳米晶体薄膜沉积化学浴沉积。板牙Sci Semicond Process.2016; 43:177。
- Pitchaimani K, Amalraj L。微观结构、光学和结构表征的Cd0.98菲0.02年代薄膜co-doped锌的化学浴沉积方法。MuthukumaranPhysica E.2016; 78:56。
- Anuar K,何鸿燊SM,萨拉瓦南N。硒化铅薄膜的制备化学浴沉积的方法在络合剂的存在(酒石酸)。土耳其人J Sci抛光工艺。2011;17。
- 汗博士Hameed年代,海德尔N等al.Deposition形态的PbS薄膜的表面活性剂增强气溶胶辅助化学气相沉积。板牙SciSemicond Process.2016; 46:39。
- 许刘R,谭M, L, et al .,制备高质量的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能细胞通过改善硫分压使用静态退火硫化的方法。索尔能源板牙索尔Cells.2016; 157:221。
- Lim KS Anuar K,何鸿燊SM, et al . SEM、EDAX和紫外可见研究铜的性质2薄膜。硫族化物。2011;8:405。
- Hassanien,阿里KA阿克勒说道,AA。年代tudy of optical properties of thermally evaporated ZnSe thin films annealed at different pulsed laser powers. J Alloys Compd. 2016;685:733.
- Anuar K,何鸿燊SM,三通WT al.Morphological CuS薄膜的表征原子力显微镜。J: Sci Eng抛光工艺。2011;3:513。
- Harizi, Rabeh MB, Laatar F等al.Substrate温度依赖的结构、形态和Sn的光学性质4某人6年代13通过真空热蒸发沉积薄膜。板牙Res公牛。2016;79:52。
- Chander年代,达卡MS.Effect厚度的物理性质的电子束真空蒸发CdZnTe串联太阳能电池薄膜。自然史E.2016; 84:112。
- SM。络合剂对化学沉积镍的增长3Pb2年代2薄膜。东方J化学2014;30:1009。
- Ahmad SM。年代tudy of structural and optical properties of quaternary CuxAg)1 - x肌萎缩性侧索硬化症2薄膜。OptInt J光电子选择。2016;127:10004。
- Gurav KV,金正日YK、胫骨SW等。脉冲电沉积铜2ZnSnS4薄膜:脉冲电位的影响。:Sci冲浪。2015;334:192。
- 马,隋J,曹L,等。合成Cu2ZnSnS4连续薄膜通过化学吸附和反应离子层。:Sci冲浪。2015;349:430。
- Ezema FI、EkwealorABC Osuji俄文。Optical properties of chemical bath deposited nickel oxide (NiOx) thin films. Superficies Vacio.2008;21:6.
- 戈马MM, Boshta M,法拉克BS, et al。奥斯曼,氧化镍薄膜的结构和光学特性由化学浴沉积和喷雾热解技术。J板牙Sci板牙Electron.2016; 27:711。
- 能剧,李E, Seo J, et al .电气性能的氧化镍薄膜为流量传感器的应用。Sens驱动器A.2006; 125:363。
- 汉SY,李DH, Chang YJ疗效氧化镍薄膜的生长机制室温化学浴沉积。J Electrochem Soc。2006; 153: C382。
- OsuwaJC Onyejiuwa GI。退火氧化镍薄膜的结构和电气性能由化学浴沉积。J奥氏杂志2013;9:9。
- 德赛SP, Suryawanshi MP, Bhosale SM,等。影响经济增长的温度对喷涂氧化镉薄膜的物理化学性质。陶瓷Int.2015; 41:4867。
- Uplane医学博士Kshirsagar PN, Lokhande BJ al.Preparation氧化镉电影喷雾热解及其转换成镉硫族化物的电影。纯:印度J。1999; 37:616。
- Lokhande BJ, Uplane MD.Effect沉积温度对喷雾沉积氧化镉的电影。板牙Res Bull.2001; 36:439。
- Metodija锌、伊万·SG普MS.Oriented氧化镉薄固体薄膜。J板牙化学1996;6:761。
- Urbiola IRC, Bon RR Vorobiev青年志愿。转换通过退火氧化镉氨氢氧化镉的氧化物形成的自由SILAR法以及光催化性能。薄固体Films.2015; 592:110。
- Mahalingam T, Chitra JS,楚JP等al.Photoelectrochemical对电镀氧化亚铜薄膜太阳能电池的研究。J板牙Sci板牙Electron.2006; 17:519。
- 莫拉莱斯J,桑切斯L,马丁F等al.Use低喷雾热解温度纳米措薄膜沉积的锂电池。薄固体电影。2005;474:133。
- Mugwang颗Karimi PK, Njoroge工作等al.Optical表征活性氧化铜薄膜制备的太阳能电池应用的直流磁控溅射。Int J薄膜Sci抛光工艺。2016;2:15。
- 瑞秋啊,乌莎·R。电子束蒸发和电镀铜的特征2O薄films-comparative研究。Int J Electrochem Sci . 2012; 7:8288。
- Rastkar AR, NiknamAR负责人B。描述的铜氧化物nanolayers直流磁控溅射沉积。薄固体Films.2009; 517:5464。
- 赵ZW,泰BK,于《GQ》等al.Optical氧化铝薄膜的性质由室温乘了过滤阴极真空弧系统。薄固体Films.2004; 14:447-8。
- 赵Z,泰BK.Property研究氧化铝薄膜的热退火。物理状态固体C.2012; 9:77。
- Philippe FS Nursen,约翰L, et al。德克,氧化铝薄膜的光学和结构性质由非水溶胶凝胶技术。J溶胶凝胶Sci Technol.2011; 59:327。
- Hiltunen L, Kattelus H, Leskela M等al.Growth以及氧化铝薄膜的表征从各种源材料原子层外延沉积和化学气相沉积过程。板牙化学学报。1991;28:379。
- Pradeep K,莫妮卡千瓦,查尔斯HW al.Optical Al的属性2O3由原子层淀积薄膜生长。:选择。2009;48:5407。
- 温家宝Y, Suhr h .多层膜、铝氧化物薄膜由等离子体增强化学蒸气deposition.1992; 55:176。
- 的实习,Escobar L,营地E等al.Thermoluminescent氧化铝薄膜的反应受到γ辐照。第九国际研讨会/固体剂量测定法第十九Nacional会议,墨西哥城。29。
- 离子M, Berbecaru C, Iftimie年代等al.PLD沉积2O3电子产品的透明薄膜。消化J Nanomater Biostructures.2012; 7:1609。
- Jaworek, Sobczyk在,Krupa等al.Electrostatic金属衬底上沉积纳米薄膜。牛波兰科学院Sci.2009; 57:63。
- 汗IA,拉希德,法蒂玛,胆囊切除术有效沉积氧化铝层。J基本科学。2013;9:252。
- 段X, Tran N,罗伯茨NK, et al.Solvothermal方法低氧化铝薄膜的沉积温度。薄固体Films.2010; 518:4290。
- 杰,太阳Y。化学液相沉积薄的氧化铝薄膜。下巴J化学2004;22:661。
- Farzana M, Saira R,沙赫扎德N。低温电解沉积氧化铝薄膜的形成。第二次国际会议上生物技术、纳米技术及其应用(ICBNA ' 2013)伦敦(英国)。2013;pp: 18。
- 伊姆兰M, Majid F, Riaz年代。Optical and structural properties of electrodeposited aluminium oxide at低温度。纳米技术的进步,生物力学,机器人和能源研究,2013年韩国首尔。。
- Koushki E,穆萨维SH, Baedi J。Oxygen amount effect on optical properties of aluminium oxide nanostructured films prepared by reactive magnetron. Opt Int J Light Electron Opt. 2016;127:4635.
- Kari K, JormaH,皮埃尔·J。电压控制活性氧化铝薄膜溅射过程。薄固体Films.1998; 326:189。
- Lim WQ, Mutharasu d的结构和表面性质变化射频气急败坏的氧化铝(Al2O3)薄膜由于退火温度和时间的影响。Int J板牙Sci。2014; 3:404。